一、考核时间：2025年12月10日（周三）9时00分
二、考核地点：南海校园行政楼317
三、考核小组成员
考 核 小 组 成 员 | 姓 名 | 职 称 | 硕/博导 | 工 作 单 位 | 备 注 | |
上午 | 高伟 | 副研究员 | 硕导 | 华南师范大学 | 组长 | |
朱凝 | 副研究员 | 硕导 | 华南师范大学 | 成员 | ||
张凤春 | 高级实验师 | 硕导 | 华南师范大学 | 成员 | ||
下午 | 刘霄 | 副研究员 | 硕导 | 华南师范大学 | 组长 | |
陈洪宇 | 副研究员 | 硕导 | 华南师范大学 | 成员 | ||
潘源 | 特聘副 研究员 | 华南师范大学 | 成员 | |||
孙若瑶 | 特聘副研究员 | 华南师范大学 | 秘书 |
四、考核学生
序号 | 学生 姓名 | 导师 姓名 | 专业 名称 | 论文题目 | 时间 安排 |
1 | 郭姿雅 | 王幸福 | 新一代电子信息技术(含量子技术等) | GaN紫外探测性能的声表面波调控研究 | 9:00-9:15 |
2 | 丁帅齐 | 李述体 | 新一代电子信息技术(含量子技术等) | p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT在栅压应力下的退化机制研究 | 9:15-9:30 |
3 | 任印恒 | 陈心满 | 新一代电子信息技术(含量子技术等) | 基于第一性原理的有机-无机杂化二维钙钛矿材料光电性能研究 | 9:30-9:45 |
4 | 代书豪 | 郑树文 | 集成电路工程 | 基于二维Ga2O3异质结的第一性原理研究 | 9:45-10:00 |
5 | 冯柳俊 | 高芳亮 | 集成电路工程 | 基于金属辅助刻蚀法AlGaN纳米柱制备及其光电性能研究 | 10:00-10:15 |
6 | 李云聪 | 宿世臣 | 集成电路工程 | 1.2 kV 平面栅和沟槽栅型 SiC MOSFET 单次及重复雪崩可靠性研究 | 10:15-10:30 |
7 | 王朝 | 高芳亮 | 集成电路工程 | 基于液态金属镓制备二维镓基器件及其光电性能研究 | 10:30-10:45 |
8 | 伍焕 | 李述体 | 集成电路工程 | 基于氮化镓基微米线激光器的制备与性能研究 | 10:45-11:00 |
9 | 吴嘉乐 | 高芳亮 | 集成电路工程 | 基于GaN/二维材料的范德华双异质结光电探测器研究 | 11:00-11:15 |
10 | 吴正东 | 李述体 | 集成电路工程 | 基于二维材料修饰的 GaN 基光电突触器件研究 | 11:15-11:30 |
11 | 徐靖泽 | 郑树文 | 集成电路工程 | 基于第一性原理计算的元素掺杂抑制锂硫电池穿梭效应研究 | 14:30-14:45 |
12 | 张宏伟 | 尹以安 | 集成电路工程 | 一种适用于增强型GaN HEMT半桥的电机驱动芯片研究与设计 | 14:45-15:00 |
13 | 张鹏 | 宿世臣 | 集成电路工程 | 基于掺硼金刚石氧终端的自驱动高性能深紫外光电探测器件研究 | 15:00-15:15 |
14 | 赵坤 | 杨孟孟 | 集成电路工程 | 基于掺铂氮化镓高电子迁移率晶体管突触性能研究 | 15:15-15:30 |
15 | 白超 | 王幸福 | 光电信息工程 | 蓝宝石衬底GaN HEMT原位SiN钝化工艺及器件耐压特性研究 | 15:30-15:45 |
16 | 柯承佑 | 尹以安 | 新一代电子信息技术(含量子技术等) | 基于LLM的SPICE模型参数提取优化研究 | 15:45-16:00 |
17 | 杨宇跃 | 宿世臣 | 集成电路工程 | 基于光学衍射神经网络的非对称紧凑型超表面研究 | 16:00-16:15 |
18 | 资微君 | 王幸福 | 集成电路工程 | GaN单晶MEMS声传感器研制及其低频性能与调控研究 | 16:15-16:30 |
19 | 崔玮婷 | 宿世臣 | 光电信息工程 | 8字形被动锁模光纤激光器中类噪声孤子分子的特性研究 | 16:30-16:45 |
20 | 张爱玲 | 王幸福 | 光电信息工程 | 压力传感器的精确校准及其健康监测系统设计研究 | 16:45-17:00 |
21 | 毛希怡 | 高伟 | 微电子学与固体电子学 | 基于二维GeSx-1Sex光电忆阻器的构筑与神经形态硬件应用研究 | 17:00-17:15 |