郑树文博士，工学部半导体科学与技术学院。从事科学研究工作十多年，长期在一线从事光电子 材料与器件方面的研究工作，以项目主要人员身份参与多项国家、省市科研项目，经费超过2500万元，积累了丰富的科研经历。由于科研成果突出，获得2011年的广东省科学技术二等奖。

联系电话：020-85215603转806 

邮箱：zhengshuwen@scnu.edu.cn.

工作经历

2001年7月至2002年8月，华南师范大学华南电子量子学研究所，从事红、橙、黄色LED器件的研制工作。

2002年9月至2003年9月，华南师范大学MOCVD实验室，从事光电器件的外延生长制备工作。独立使用美国MOCVD系统研制出高质量高亮度的红 、橙和黄光LED外延片。

2003年10月至2008年11月，华南师范大学信息光电子科技学院，从事红色、蓝光LED器件的结构设计，新型Bragg反射器设计分析、LED光源的检测等工作。

2006年9月至今，负责研究生的《现代半导体材料测试与分析技术》必修课程 和《功能材料计算与器件仿真》选修课的教学工作 。

2008年12月至今，华南师范大学光电子材料与技术研究所，从事白光 LED器件的新型结构设计 、白光LED的荧光材料、散热材料和新型光源结构的研制，LED应用产品的开发、LED器件的性能检测分析和ZnO等宽隙带材料物性研究等多方面工作。

研究项目

主持或以项目主要人员身份参与国家、省市的各类项目十多项，其中包括：

国家项目“超高亮度LED和面发光半导体激光器”，2001.07~2002.08

广东省项目“蓝绿白超高亮度发光二极管产业化试验”，2001.07~2002.08

广东省电致光电器件重点实验室的建设项目，2002.09~2003.09

国家973预演课题“InP填充SiO2三维光子晶体MOCVD实验研究”的攻关工作，2003.10~2006.05

广州市重大科技应用项目“广州市LED工业研究开发基地”（2000万元）的筹建、大型设备采购和实验室测量部门负责人，2006.06~2008.12

港招标项目“发光二极管（LED）外延片材料和生长方法”，2009.01·2010.12

广东省战略性新兴产业专项“高显色高效率高稳定性LED模组灯具的研制及产业化”，2013.10~2015.9

华南师范大学青年教师项目“基于白光LED封装的新型荧光PC材料研究”，2013.1~2014.12

发表论文

A）第一作者文章：

1.Zheng shu-wen(郑树文)、He miao、Li shu-ti、and Zhang yong. Electronic structures and optical properties of IIIA-doped wurtzite Mg0.25Zn0.75O[J]，Chin. Phys. B. 23 (8): 087101,2014

2.郑树文、范广涵、皮辉. β-Ga2O3掺Al的电子结构与能带特性研究[J]，功能材料，45 (12):12102,2014

3.Zheng shu-wen(郑树文)、Fan guang-han、He miao、and Zhang tao. Study on electronic structures and energy band properties of Be- and S-doped wurtzite ZnO[J]，Chin. Phys. B. 23 (6): 066301,2014

4.郑树文、范广涵、张涛、皮辉、徐开放. Ga掺杂对纤锌矿TM0.125Zn0.875O(T=Be,Mg)电子结构和光学能隙的影响[J]，物理学报，63(8):087101,2014

5.郑树文、范广涵、何苗、赵灵智. W掺杂对beta-Ga2O3导电性能的影响研究[J]，物理学报，63(5):057102,2014

6.郑树文、范广涵、张涛、苏晨、宋晶晶、丁彬彬. 纤锌矿BexZn1-xO合金能隙弯曲系数的第一原理研究[J]，物理学报，62(3):037102,2013

7.郑树文、范广涵、李述体、张涛、苏晨. Be1-xMgxO合金的能带特性与相结构稳定性的研究[J]，物理学报，61(23):237101,2012

8.郑树文、范广涵、何苗、姚光锐、陈峻、贺龙飞. 纤锌矿BeO掺Cd的电子结构与能带特性研究[J]，物理学报，61(17):177102,2012

9.郑树文、范广涵、章勇、何苗、李述体、张涛. Be和Ca掺杂纤锌矿ZnO的晶格常数与能带特性研究[J], 物理学报，61(22):227101,2012

10.郑树文、范广涵、李述体、雷勇、黄琨.入射角对Al0.5Ga0.5As/AlAs布拉格反射器反射光谱影响[J],光学学报,26(5):752,2006

11.郑树文、范广涵、李述体、章勇、孙慧卿. 温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器反射谱影响[J]，光子学报,236(5):869,2007

12.郑树文、范广涵、李述体、周天明.入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响[J], 量子电子学报,24(4):514,2007

13.郑树文、范广涵、章勇、李述体、孙慧卿，基于LED应用的分布布拉格反射器研究进展[J]，激光与光电子学进展，43(12):29,2006

B）通讯作者文章：

1.熊建勇、赵芳、范广涵、许毅钦、刘小平、宋晶晶、丁彬彬、张涛、郑树文*,Efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode with a p-AlGaN/GaN superlattice last quantum barrier[J],Chin. Phys. B. ,22:118504,2013

2.熊建勇、郑树文*、范广涵，Performance Enhancement of Blue InGaN Light-Emitting Diodes With InGaN Barriers and Dip-Shaped Last Barrier[J]，IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS，60:3925,2013

3.喻晓鹏、范广涵、丁彬彬、熊建勇、肖瑶、张涛、郑树文*,Performance improvement of GaN-based light-emitting diode with a p-InAlGaN hole injection layer[J],Chin. Phys. B. ,23(2):028502,2014

4.喻晓鹏、范广涵、郑树文*、丁彬彬、张涛,Performance of Blue LEDs With N-AlGaN/N-GaN Superlattice as Electron-Blocking Layer[J],IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,26(11):1132,2014

C）近几年参与工作的部分文章：

1.贺龙飞、范广涵、雷牧云、娄载亮、郑树文、苏晨、肖瑶、陈志武、张涛，白光LED用新型MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷的发光性能[J]，发光学报, 34(2):133，2013

2.Huang Jun-Yi,Fan Guang-Han,Zheng Shu-Wen,Niu Qiao-Li,Li Shu-Ti,Cao Jian-Xing,Su Jun,Zhang Yong.Improvement of the light output and contact resistance of InGaN-based light-emitting diodes based on tantalum-doped indium tin oxide as p-type electrodes[J],Chin.Phys.B，19(4):047205,2010

3.Xian-Wen Chen,Yong Zhang,Shu-Ti Li,Qi-Rong Yan,Shu-Wen Zheng,Miao He,Guang-Han Fan. Improving color rendering of Y3Al5O12:Ce3+ white light-emitting diodes based on dual-blue-emitting active layers[J]，Physica Status Solidi(a),208(8):1972,2011

4.Huang,J.Y.; Fan,G.H.; Mei,T.;Zheng,S.W.; Niu,Q.L.;Li,S.T.; Zhang,Y. Preparation and Characterization of Transparent Conductive Ta-DOPED Ito Films by Electron-Beam Evaporation[J],Modern Physics Letters B, 24(32):3089,2010

5.姚光锐，范广涵，郑树文，马佳洪，陈峻，章勇，李述体，宿世臣，张涛. 第一性原理研究Te-N共掺p型ZnO, 物理学报，61(17):176105,2012

6.张运炎、范广涵、章勇、郑树文，掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究，物理学报[J], 60(2): 028503, 2011

7.CHEN Jun，FAN Guang-Han, PANG-Wei, ZHENG Shu-Wen，Comparison of GaN-Based Light-Emitting Diodes by Using the AlGaN Electron-Blocking Layer and InAlN Electron-Blocking Layer[J],CHIN.PHYS.LETT. 28(12): 128501,2011

8.Guangrui Yao, Guanghan Fan, Shuwen Zheng, Jiahong Ma, Jun Chen, Detao Zhou, Shuti Li, Yong Zhang, First-principles analysis on V-doped GaN[J]，OPTICAL MATERIALS，34(9):1593,2012

9.丁彬彬、范广涵、周德涛、赵芳、郑树文等，铜/金刚石复合材料热导率正交实验研究[J]，金刚石与磨料磨具工程，2013，33(1):6

10.肖瑶、范广涵、皮辉、许毅钦、郑树文等，PC/YAG∶Ce 荧光树脂的制备及光谱分析, 发光学报,34:1419，2013

11.丁彬彬、赵芳、宋晶晶、丁彬彬、郑树文等，Performance improvement of blue InGaN light-emitting diodes with a specially designed n-AlGaN hole blocking layer[J]，中国物理B，22:088503,2013

12.赵芳、姚光锐、宋晶晶、丁彬彬、熊建勇、苏晨、郑树文等，Performance improvement of blue light-emitting diodes with an AlInN/GaN superlattice electron-blocking layer[J], 中国物理B，22:058503,2013

13.熊建勇、许毅钦、赵芳、宋晶晶、丁彬彬、郑树文等，Performance enhancement of an InGaN light-emitting diode with an AlGaN/InGaN superlattice electron-blocking layer[J]，中国物理B，22:108505,2013

14.贺龙飞、范广涵、雷玫云、娄载亮、陈志武、肖瑶、郑树文等，MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷的制备及光学性能[J]，光谱学与光谱分析，2013(5):1175

15.熊建勇、喻晓鹏、郑树文等，Advantages of blue InGaN light-emitting diodes without an electron-blocking layer by using AlGaN step-like barriers[J],Applied Physics A,114(2):309-313,2014

16.熊建勇、赵芳、丁彬彬、郑树文等，Investigation of blue InGaN light-emitting diodes with AlGaN barriers of the increasing Al composition[J]，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114：133106 ，2013

国内专利

郑树文、范广涵、张涛，一种具有良好热传导的发光二极管散热基座， 2012-06-13，中国， ZL 201120404899.5

郑树文、范广涵，一种多功能台灯， 2012-05-16，中国，ZL 201010229997.X

郑树文、范广涵、章勇，一种反射式LED照明灯具，2009-07-24，中国，ZL 200920061195.5

郑树文、范广涵，一种LED台灯，2012-07-16，中国，ZL 201020262504.8

刘小平、范广涵、郑树文、张涛、姚光锐、张瀚翔，功率型LED高散热性能封装结构，2012-07-04，中国，ZL 201120404897.6

章勇、候琼、郑树文、李述体、范广涵，一种红绿光发射共轭聚合物及其制备方法和应用，2011-07-06，中国，ZL200810220497.2

贺龙飞、范广涵、郑树文、姚光锐、许毅钦、周德涛,一种荧光透明陶瓷透镜封装的白光LED, 2012-09-05,中国，ZL 201110282645.5

上述仅列出部分授权的专利。